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该N沟道碳化硅MOSFET具有650V的漏源击穿电压（VDSS）和6.8A的连续漏极电流（ID），导通电阻（RDS(on)）典型值为460mΩ，支持-4V至!8V的栅源电压范围（VGS）。器件基于碳化硅材料，具备优异的耐压性能与热导特性，开关速度快，反向恢复损耗低。适用于高效率、高频率的功率变换应用，如大功率开关电源、高密度DC-DC转换器、光伏逆变模块及储能系统中的功率级设计，有助于提升能效并减小系统体积。
