S3D08065G-HXY_TO-263N_碳化硅二极管_HXY MOSFET(华轩阳电子)

  • 产品参数
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品牌: HXY MOSFET(华轩阳电子)
封装: TO-263N
类别: 碳化硅二极管
最小包装: 800/圆盘
参数1: IF:8A
参数2: VR:650V
参数3: VF:1.42V
参数4: 二极管配置:独立式
标价: 欢迎咨询
服 务 商: 深圳市华轩阳电子有限公司
会员等级: 会员
联 系 人: 张婉仪
联系电话: 189 2937 3249
联系地址: 深圳市福田区中航路7-1号鼎诚国际大厦南座2013
产品介绍

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该碳化硅二极管为独立式结构,额定正向电流(IF)为8A,反向重复峰值电压(VR)达650V,正向压降(VF)低至1.42V。基于碳化硅半导体材料,具备优异的开关特性,反向恢复时间极短,开关损耗显著低于传统硅二极管。器件耐高温性能良好,可在较高工作温度下保持稳定。适用于高效率电源转换系统,如通信电源、服务器电源、可再生能源逆变装置以及高密度直流-直流变换器。其高频工作能力有助于减小外围滤波元件的体积,提升系统整体功率密度与能效水平。

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