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该N沟道碳化硅MOSFET具备650V的漏源击穿电压（VDSS）和6.8A的额定漏极电流（ID），导通电阻（RDS(on)）典型值为460mΩ，可有效降低导通损耗。栅源电压范围为-4V至!8V，支持稳定可靠的栅极控制。基于碳化硅材料特性，器件具有优异的高频开关能力与高温工作性能，适用于高功率密度电源系统，如高效AC-DC转换器、DC-DC变换模块及光伏逆变单元，在提升能效的同时减小系统体积。