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该N沟道碳化硅MOSFET具备650V的漏源击穿电压（VDSS）和6.8A的连续漏极电流（ID），导通电阻（RDS(on)）典型值为460mΩ，可有效降低导通损耗。栅源电压范围为-4V至!8V，支持稳定可靠的栅极驱动控制。采用碳化硅材料，器件具有优异的耐压能力与热导性能，适用于高频率、高效率的开关电源、直流电压变换电路及可再生能源发电系统中的功率转换模块，有助于提升系统功率密度并减少能量损耗。
