-------<点击了解更多 + 购买>-------
该N沟道碳化硅MOSFET具有650V的漏源击穿电压（VDSS）和15A的连续漏极电流（ID），导通电阻（RDS(on)）典型值为260mΩ，可有效降低导通损耗。栅源电压范围为-5V至!6V，确保可靠的栅极控制与器件安全。基于碳化硅材料，具备优异的高频开关能力与高温工作稳定性，适用于高功率密度电源转换系统。典型应用场景涵盖高效DC-DC变换器、大功率电源适配器、储能系统逆变单元及高性能电机驱动电路等。
