BCD120S05D3_TO-252N-2L_碳化硅二极管_HXY MOSFET(华轩阳电子)

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品牌: HXY MOSFET(华轩阳电子)
封装: TO-252N-2L
类别: 碳化硅二极管
最小包装: 2500/圆盘
参数1: IF:5A
参数2: VR:1200V
参数3: VF:1.38V
参数4: 二极管配置:独立式
标价: 欢迎咨询
服 务 商: 深圳市华轩阳电子有限公司
会员等级: 会员
联 系 人: 张婉仪
联系电话: 189 2937 3249
联系地址: 深圳市福田区中航路7-1号鼎诚国际大厦南座2013
产品介绍

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该碳化硅二极管为独立式单管结构,具备5A正向电流(IF)和1200V反向重复峰值电压(VR),正向压降为1.38V。基于碳化硅材料,器件具有优异的耐高温性能和极快的开关速度,反向恢复电荷极低,可显著减少开关损耗。其高耐压特性适用于高电压、高频率的电力转换场景,如高压电源系统、不间断电源、太阳能逆变装置及高密度DC-DC转换器,有助于提升系统效率并减小散热设计负担。

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