CI08S65M3_TO-263N_碳化硅二极管_HXY MOSFET(华轩阳电子)

  • 产品参数
  • 企业联系方式
品牌: HXY MOSFET(华轩阳电子)
封装: TO-263N
类别: 碳化硅二极管
最小包装: 800/圆盘
参数1: IF:8A
参数2: VR:650V
参数3: VF:1.42V
参数4: 二极管配置:独立式
标价: 欢迎咨询
服 务 商: 深圳市华轩阳电子有限公司
会员等级: 会员
联 系 人: 张婉仪
联系电话: 189 2937 3249
联系地址: 深圳市福田区中航路7-1号鼎诚国际大厦南座2013
产品介绍

-------<点击了解更多 + 购买>-------

本款碳化硅二极管采用独立式结构,具备8A的正向平均电流(IF)和650V的反向重复峰值电压(VR),正向压降为1.42V。基于碳化硅半导体材料,具有优异的高温工作性能、低反向漏电流和极短的反向恢复时间,适用于高频开关环境。该器件可有效提升电源系统的转换效率,降低热损耗,减少外围元件数量。其封装形式支持高密度电路布局,广泛用于高性能电源装置,如通信基站电源、光伏逆变单元、高效率开关电源及储能系统的能量转换模块。

Baidu
map