-------<点击了解更多 + 购买>-------
该N沟道碳化硅MOSFET具有650V的漏源击穿电压（VDSS）和15A的连续漏极电流（ID），导通电阻（RDON）为260mΩ，有助于降低导通损耗。栅源电压范围为-5V至!6V，支持稳定可靠的栅极驱动控制。基于碳化硅材料的特性，器件具备优异的高频开关性能和高温工作能力。适用于高效率、高频率的电力转换系统，如大功率开关电源、储能系统逆变器、高压DC-DC变换器及高性能电源模块，可满足对能效和功率密度要求较高的技术场景。
