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该N沟道碳化硅MOSFET具备650V的漏源击穿电压（VDSS）和15A的额定漏极电流（ID），导通电阻（RDS(on)）典型值为260mΩ，可有效降低导通损耗。栅源电压范围为-5V至!6V，支持稳定可靠的栅极驱动控制。基于碳化硅材料的特性，器件具有优异的高频开关能力与高温工作稳定性，适用于高效率直流-交流逆变、高压直流功率变换及高功率密度电源系统，尤其适合对系统效率与热管理有严格要求的电力电子应用场合。
