-------<点击了解更多 + 购买>-------

本款N沟道碳化硅场效应管具有650V的漏源电压（VDSS）和6.8A的连续漏极电流（ID），导通电阻为460mΩ，有助于降低功率损耗。栅源电压范围为-4V至!8V，支持稳定栅极驱动控制。采用碳化硅技术，具备优异的高频开关特性与高温工作能力，适用于高能效电源转换系统，如大功率开关电源、高密度DC-DC变换器及可再生能源发电中的逆变电路，有助于提升系统整体效率并改善热管理性能。