KXJL65C10T3_TO-263N_碳化硅二极管_HXY MOSFET(华轩阳电子)

  • 产品参数
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品牌: HXY MOSFET(华轩阳电子)
封装: TO-263N
类别: 碳化硅二极管
最小包装: 800/圆盘
参数1: IF:10A
参数2: VR:650V
参数3: VF:1.51V
参数4: 二极管配置:独立式
标价: 欢迎咨询
服 务 商: 深圳市华轩阳电子有限公司
会员等级: 会员
联 系 人: 张婉仪
联系电话: 189 2937 3249
联系地址: 深圳市福田区中航路7-1号鼎诚国际大厦南座2013
产品介绍

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该碳化硅二极管采用独立式配置,具备10A的正向电流(IF)和650V的反向重复峰值电压(VR),在高效能电力转换中表现出色。其正向压降(VF)低至1.51V,有助于减少导通损耗,提升系统整体效率。该器件利用碳化硅材料的优异特性,具备快速开关能力和良好的热稳定性,适用于高频率、高电压的工作环境。典型应用场景包括高效电源转换模块、可再生能源逆变装置及高密度电源系统,适合对功率密度和能效有较高要求的电力电子设计。

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