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该N沟道碳化硅MOSFET具备650V的漏源击穿电压（VDSS）和15A的额定漏极电流（ID），导通电阻（RDS(on)）典型值为260mΩ，可有效降低导通损耗。栅源电压范围为-5V至!6V，支持稳定可靠的栅极控制。基于碳化硅材料的特性，器件具有优异的耐高温性能与高频开关能力，适用于高效率直流变换、高压电源转换及紧凑型功率模块设计，在提升系统能效的同时，有助于减小无源元件体积与整体散热需求。
