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本款N沟道碳化硅场效应管具备650V漏源电压（VDSS）和15A连续漏极电流（ID），导通电阻低至260mΩ，可有效减少导通损耗，提升系统能效。栅源电压范围为-5V至!6V，支持稳定可靠的栅极驱动控制。依托碳化硅材料的高临界电场与高热导率特性，器件适用于高频、高压工作环境，广泛用于高效开关电源、可再生能源发电逆变装置、数据中心电源模块及高功率密度电力转换系统，满足对散热性能和空间利用率有较高要求的应用场景。