-------<点击了解更多 + 购买>-------

本产品为1200V N沟道碳化硅场效应管（MOSFET），具备低导通电阻特性，典型值为25mΩ，可支持高达80A的连续漏极电流。基于碳化硅材料的特性，该器件在高频开关应用中表现出优异的效率与热稳定性，适用于高效能电源转换系统、可再生能源设备及高频率功率变换器等场景，满足对功率密度与能效要求较高的技术应用需求。