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本产品为1000V N沟道碳化硅场效应管（MOSFET），基于碳化硅材料打造，具备优异的高耐压与导热性能。其漏极电流ID为36A，导通电阻RDON为65mΩ，有效降低导通损耗，提升整体能效。适用于高频、高效率的电力转换系统，如光伏逆变装置、智能能源管理系统及高效电源模块。器件设计注重热稳定性与可靠性，能够在较高工作温度下保持良好性能，适用于多种高性能电力电子应用环境。