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本款碳化硅场效应管（MOSFET）采用N沟道结构，支持36A连续漏极电流（ID）和900V漏源击穿电压（VDSS），适用于高功率密度和高电压转换场景。导通电阻（RDON）为65mΩ，有助于降低导通损耗，提升系统能效。基于碳化硅材料，具备优异的热稳定性和快速开关能力，支持高频高效电力转换设计。可应用于高效电源系统、可再生能源转换装置及高密度电力控制设备，满足复杂工况下的性能与可靠性要求。