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本产品为900V N沟道碳化硅场效应管（MOSFET），具备36A的连续漏极电流（ID）和65mΩ的导通电阻（RDON）。碳化硅材料显著提升了器件的导通效率和高频开关性能，适用于高功率密度与高效率的电力转换设计。该器件可广泛应用于高效电源系统、智能电网接口设备、高精度测试仪器以及新一代能源转换装置，满足高频、高压与高温环境下稳定工作的技术要求。
