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本产品为1200V N沟道碳化硅场效应管（MOSFET），具备优异的导通与开关性能。其最大漏极电流ID为32A，导通电阻RDON低至75mΩ，可有效降低导通损耗，提高系统效率。高耐压特性使其适用于高功率密度电源转换系统，如高效能直流电源、储能系统及智能电网设备。器件基于碳化硅材料，具备良好的热稳定性和高频工作能力，适合对效率与可靠性有较高要求的电力电子应用。
