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本产品为1200V N沟道碳化硅场效应管（MOSFET），具备低导通电阻与高电流承载能力。其最大漏极电流ID为63A，导通电阻RD(ON)仅为32mΩ，有效降低导通损耗，提升系统能效。碳化硅材料带来优异的高温耐受性与高频工作稳定性，适用于高效能电源转换装置、新能源发电设备及高密度电力电子模块，满足高性能、高可靠性电力应用场景的技术需求。