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该N沟道碳化硅MOSFET具有650V的漏源击穿电压（VDSS）和15A的连续漏极电流（ID），导通电阻（RDS(on)）典型值为260mΩ，支持-5V至!6V的栅源电压范围。基于碳化硅材料的特性，器件具备优异的耐高压与高温能力，开关损耗低，适用于高频率、高效率的电力转换电路。典型应用包括高效电源适配器、不间断电源、可再生能源发电逆变装置及高功率密度DC-DC变换器，有助于提升系统能效与功率密度。
