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该N沟道碳化硅MOSFET具备650V的漏源击穿电压（VDSS）和15A的额定漏极电流（ID），导通电阻（RDON）典型值为260mΩ，可有效降低导通损耗。栅源电压（VGS）支持-5V至!6V范围，确保可靠的栅极驱动控制与器件稳定性。基于碳化硅材料的特性，该器件具备优异的高频开关能力、耐高温性能及较低的反向恢复电荷。适用于高效率开关电源、直流变换模块、光伏逆变单元及高功率密度电源系统，适合在高频率、高热应力环境下工作的电力电子电路中使用。
