CI02S120E3_TO-252N-2L_碳化硅二极管_HXY MOSFET(华轩阳电子)

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品牌: HXY MOSFET(华轩阳电子)
封装: TO-252N-2L
类别: 碳化硅二极管
最小包装: 2500/圆盘
参数1: IF:2A
参数2: VR:1200V
参数3: VF:1.36V
参数4: 二极管配置:独立式
标价: 欢迎咨询
服 务 商: 深圳市华轩阳电子有限公司
会员等级: 会员
联 系 人: 张婉仪
联系电话: 189 2937 3249
联系地址: 深圳市福田区中航路7-1号鼎诚国际大厦南座2013
产品介绍

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该碳化硅二极管采用独立式配置,具备2A的正向电流(IF)和高达1200V的反向重复峰值电压(VR),适用于高效率电源转换场景。其正向压降(VF)为1.36V,在高频开关条件下仍能保持较低的导通损耗和优异的热稳定性。器件利用碳化硅材料特性,显著提升开关速度并降低反向恢复电荷,有助于减小系统级散热需求与被动元件体积。典型应用包括高效能电源适配器、开关模式电源及高密度DC-DC转换模块等对功率密度和能效要求较高的电路设计。

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