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本产品为N沟道碳化硅场效应管（MOSFET），具备1200V的漏源耐压（VDSS）与120A的连续漏极电流能力（ID），导通电阻（RDON）低至16mΩ，显著降低导通损耗并提升系统效率。基于碳化硅材料的特性，该器件具有优异的高温稳定性和高频工作能力，适用于高效能电源转换、新能源发电系统、智能电网设备等高要求场景，助力实现更高功率密度与更优热管理性能。
