P3D12010G2_TO-263_碳化硅二极管_HXY MOSFET(华轩阳电子)

  • 产品参数
  • 企业联系方式
品牌: HXY MOSFET(华轩阳电子)
封装: TO-263
类别: 碳化硅二极管
最小包装: 800/圆盘
参数1: IF:10A
参数2: VR:1200V
参数3: VF:1.39V
参数4: 二极管配置:独立式
标价: 欢迎咨询
服 务 商: 深圳市华轩阳电子有限公司
会员等级: 会员
联 系 人: 张婉仪
联系电话: 189 2937 3249
联系地址: 深圳市福田区中航路7-1号鼎诚国际大厦南座2013
产品介绍

-------<点击了解更多 + 购买>-------

该碳化硅二极管为独立式结构,额定正向电流(IF)为10A,反向重复峰值电压(VR)达1200V,正向压降(VF)为1.39V。得益于碳化硅材料的高热导率和宽禁带特性,器件具备优异的高温工作能力、极低的反向漏电流及快速开关特性。适用于高电压、高效率的电力转换系统,如高压电源模块、可再生能源逆变装置、服务器级电源供应器以及高密度DC-AC转换电路。其低导通损耗与快速恢复性能有助于减少系统热耗散,提升整体能效和运行稳定性,适合对功率密度和可靠性要求较高的应用场景。

Baidu
map