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本产品为110.4A 1200V N沟道碳化硅场效应管(MOSFET),导通电阻低至26mΩ,具备优异的高压与大电流承载能力。其高耐压特性支持在复杂电压环境下稳定运行,适用于高效电源转换、新能源设备及高性能功率系统的设计。采用碳化硅材料,提升了器件的热稳定性和开关性能,有效降低能量损耗,提高系统整体效率。该器件适合对功率密度和可靠性有较高要求的多样化应用场景。