PCDD10120G1_L2_00001_TO-252N-2L_碳化硅二极管_HXY MOSFET(华轩阳电子)

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品牌: HXY MOSFET(华轩阳电子)
封装: TO-252N-2L
类别: 碳化硅二极管
最小包装: 2500/圆盘
参数1: IF:10A
参数2: VR:1200V
参数3: VF:1.39V
参数4: 二极管配置:独立式
标价: 欢迎咨询
服 务 商: 深圳市华轩阳电子有限公司
会员等级: 会员
联 系 人: 张婉仪
联系电话: 189 2937 3249
联系地址: 深圳市福田区中航路7-1号鼎诚国际大厦南座2013
产品介绍

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该碳化硅二极管为独立式器件,具备10A的正向电流(IF)和1200V的反向耐压(VR),适用于高电压、中等电流的电力电子电路。其正向导通压降(VF)典型值为1.39V,显著低于传统硅器件,有助于减少导通损耗,提高能量转换效率。基于碳化硅材料的优异特性,该二极管具有出色的高温稳定性和快速开关能力,反向恢复特性优异。主要应用于高效开关电源、不间断电源系统、可再生能源发电逆变器及高密度功率模块中,适合对能效和热管理有严格要求的电路设计。

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