-------<点击了解更多 + 购买>-------

本产品为1200V高压碳化硅N沟道场效应晶体管（MOSFET），具备低导通电阻特性，典型值为32mΩ，可支持高达63A的连续漏极电流。采用宽禁带半导体材料，具备优异的热稳定性和开关性能，适用于高效率、高频电源转换系统。可广泛应用于能源、通信、智能电网等领域中的功率因数校正、直流-直流转换及逆变系统，满足高电压、高频率工况下的可靠运行需求。