-------<点击了解更多 + 购买>-------
该N沟道碳化硅MOSFET具有800V的漏源击穿电压（VDSS）和13.3A的连续漏极电流（ID），导通电阻（RDS(on)）为200mΩ，有助于降低导通损耗。栅源电压范围为-4V至!8V，支持可靠的栅极驱动控制。采用碳化硅材料，具备优异的高频开关特性和高温工作能力。适用于高效率的功率转换电路，如大功率开关电源、光伏逆变装置、储能系统中的能量变换模块以及高功率密度的交直流转换设备，适合在高电压、高频率工作环境下实现低损耗运行。
