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该N沟道碳化硅MOSFET具有650V的漏源击穿电压（VDSS）和24A的连续漏极电流（ID），导通电阻（RDS(on)）低至110mΩ，有助于降低导通损耗。栅源电压范围为-4V至!8V，支持稳定可靠的栅极驱动控制。采用碳化硅材料，具备优异的高频开关性能和高温工作能力，适用于高功率密度电源系统。典型应用包括高效直流-交流逆变装置、高压直流电源转换模块及可再生能源发电系统的功率级设计，适合对能效和热管理有较高要求的电力电子场合。
