IV1Q06040T4_TO-247-4L_碳化硅场效应管(MOSFET)_HXY MOSFET(华轩阳电子)

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品牌: HXY MOSFET(华轩阳电子)
封装: TO-247-4L
类别: 碳化硅场效应管(MOSFET)
最小包装: 30/管装
参数1: ID:52A
参数2: VDSS:650V
参数3: RDON:40mR
参数4: TYPE:N-ch
标价: 欢迎咨询
服 务 商: 深圳市华轩阳电子有限公司
会员等级: 会员
联 系 人: 张婉仪
联系电话: 189 2937 3249
联系地址: 深圳市福田区中航路7-1号鼎诚国际大厦南座2013
产品介绍

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本产品为650V N沟道碳化硅场效应管(MOSFET),具有40mΩ的导通电阻,在高温和高频率工作条件下仍能保持稳定的性能表现。该器件可支持最大连续漏极电流达52A,适用于高效开关电源、光伏逆变系统、储能设备以及高频功率转换装置等应用。碳化硅材料的引入显著降低了开关损耗,提升了整体能效和系统可靠性,适合用于对空间利用率和热管理有较高要求的技术场景。

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