PCDD08120G1_L2_00001_TO-252N-2L_碳化硅二极管_HXY MOSFET(华轩阳电子)

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品牌: HXY MOSFET(华轩阳电子)
封装: TO-252N-2L
类别: 碳化硅二极管
最小包装: 2500/圆盘
参数1: IF:8A
参数2: VR:1200V
参数3: VF:1.45V
参数4: 二极管配置:独立式
标价: 欢迎咨询
服 务 商: 深圳市华轩阳电子有限公司
会员等级: 会员
联 系 人: 张婉仪
联系电话: 189 2937 3249
联系地址: 深圳市福田区中航路7-1号鼎诚国际大厦南座2013
产品介绍

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该碳化硅二极管为独立式结构,额定正向电流(IF)为8A,反向重复电压(VR)可达1200V,适用于高电压应用场景。其正向导通压降(VF)为1.45V,在高温与高频率工作条件下仍保持稳定的电气性能。利用碳化硅材料的优异特性,该器件具备快速开关能力、低反向恢复电荷及出色的热稳定性,可有效减少系统损耗。常用于高效能源转换装置、不间断电源、高压直流变换器及可再生能源逆变系统,有助于提升整体能效并减小散热设计负担。

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