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本产品为1200V N沟道碳化硅场效应管（MOSFET），具备高耐压与低导通电阻特性，漏极电流可达81A，导通电阻仅为21mΩ。采用碳化硅材料，提升了器件在高频、高温环境下的稳定性与效率，适用于电源转换系统、高效能电机控制及高密度功率模块设计。器件结构优化，有助于降低开关损耗，提高整体系统能效。