P3D12005E2_TO-252N-2L_碳化硅二极管_HXY MOSFET(华轩阳电子)

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品牌: HXY MOSFET(华轩阳电子)
封装: TO-252N-2L
类别: 碳化硅二极管
最小包装: 2500/圆盘
参数1: IF:5A
参数2: VR:1200V
参数3: VF:1.38V
参数4: 二极管配置:独立式
标价: 欢迎咨询
服 务 商: 深圳市华轩阳电子有限公司
会员等级: 会员
联 系 人: 张婉仪
联系电话: 189 2937 3249
联系地址: 深圳市福田区中航路7-1号鼎诚国际大厦南座2013
产品介绍

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该碳化硅二极管为独立式器件,具备5A的正向电流(IF)和1200V的反向耐压(VR),适用于高电压、中等电流的电力转换环境。其正向导通压降(VF)为1.38V,具有较低的导通损耗,有助于提升系统效率。基于碳化硅材料的特性,该器件具备优异的反向恢复性能,支持高频开关操作,可有效减少能量损耗与热生成。适用于高效电源模块、不间断电源系统、可再生能源逆变装置及高密度DC-DC转换器中的整流与防反接应用,支持在高温环境下稳定运行。

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