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该N沟道碳化硅MOSFET具有650V的漏源击穿电压（VDSS），连续漏极电流可达24A，导通电阻（RDS(on)）低至110mΩ，有助于降低导通损耗。栅源电压范围为-4V至!8V，支持稳定可靠的栅极驱动控制。基于碳化硅材料特性，器件具备优异的高温工作能力、耐压性能及快速开关响应，适用于高频率、高效率的功率变换拓扑。常见于高性能电源转换装置、可再生能源发电单元、数据中心电源系统及高压直流变换设备中，适用于对能效和热管理要求较高的应用场合。
