PCDP08120G1_T0_00001_TO-220C-2L_碳化硅二极管_HXY MOSFET(华轩阳电子)

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品牌: HXY MOSFET(华轩阳电子)
封装: TO-220C-2L
类别: 碳化硅二极管
最小包装: 50/管装
参数1: IF:8A
参数2: VR:1200V
参数3: VF:1.45V
参数4: 二极管配置:独立式
标价: 欢迎咨询
服 务 商: 深圳市华轩阳电子有限公司
会员等级: 会员
联 系 人: 张婉仪
联系电话: 189 2937 3249
联系地址: 深圳市福田区中航路7-1号鼎诚国际大厦南座2013
产品介绍

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该碳化硅肖特基二极管具有8A的正向平均电流(IF)和1200V的反向重复峰值电压(VR),适用于高电压阻断需求的电路环境。其正向压降(VF)典型值为1.45V,有助于减少导通损耗,提升能效。采用独立式二极管配置,便于在拓扑结构中灵活布局与热管理。得益于碳化硅材料的宽禁带特性,器件具备快速恢复能力、低反向漏电流及良好的高温工作稳定性,适用于高压直流电源、高效开关转换器、光伏逆变系统及大功率储能装置中的整流与反向阻断应用。

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