P3D06010G2_TO-263N_碳化硅二极管_HXY MOSFET(华轩阳电子)

  • 产品参数
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品牌: HXY MOSFET(华轩阳电子)
封装: TO-263N
类别: 碳化硅二极管
最小包装: 800/圆盘
参数1: IF:10A
参数2: VR:650V
参数3: VF:1.51V
参数4: 二极管配置:独立式
标价: 欢迎咨询
服 务 商: 深圳市华轩阳电子有限公司
会员等级: 会员
联 系 人: 张婉仪
联系电话: 189 2937 3249
联系地址: 深圳市福田区中航路7-1号鼎诚国际大厦南座2013
产品介绍

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该碳化硅二极管为独立式单管结构,额定正向平均电流(IF)为10A,反向重复峰值电压(VR)可达650V,适用于中高压功率应用。其正向导通压降(VF)典型值为1.51V,在持续导通状态下具备较低的功耗表现。基于碳化硅半导体材料,器件具有优异的高温稳定性、极短的反向恢复时间及微小的反向恢复电荷,有效降低开关过程中的能量损耗。可广泛用于高频率开关电源、高效能DC-DC转换模块、光伏逆变单元及高性能电源适配器等场合,支持高功率密度与高能效系统设计。

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