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本产品为1200V碳化硅N沟道场效应晶体管（MOSFET），具备32A的连续漏极电流能力，导通电阻为75mΩ，具有较高的电流承载能力和较低的导通损耗。基于碳化硅材料，器件具备优异的高温工作稳定性与快速开关响应特性，适用于高频率功率转换设备、新能源发电系统、智能电网模块以及高效电源管理电路，为高性能电力电子应用提供可靠支持。