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本产品为1200V N沟道碳化硅场效应管（MOSFET），具备优异的导通与开关性能。其最大漏极电流ID为36A，导通电阻RD(ON)低至80mΩ，可有效降低导通损耗，提高系统效率。碳化硅材料的宽禁带特性使其在高电压、高频工作环境下仍保持稳定运行，适用于高效电源转换设备、可再生能源系统及高密度电力电子装置，为复杂电力场景提供可靠支持。
