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本产品为1200V高压碳化硅N沟道场效应晶体管（MOSFET），具备18A连续漏极电流能力及160mΩ的低导通电阻。采用碳化硅材料，实现高效能与低损耗，适用于高频率、高功率转换场景。其高耐压特性使其在电源系统中具备出色的稳定性和可靠性，广泛用于高效能电源转换、可再生能源系统、储能设备及精密电子设备中，满足对性能与效率有高要求的电路设计。