-------<点击了解更多 + 购买>-------
该N沟道碳化硅MOSFET具备650V的漏源击穿电压（VDSS）和24A的连续漏极电流（ID），导通电阻（RDS(on)）低至110mΩ，可有效降低导通损耗。栅源电压范围为-4V至!8V，支持可靠驱动与负压关断，提升系统稳定性。基于碳化硅材料特性，器件具有优异的高温工作性能和快速开关能力，适用于高频率、高效率的电力转换电路。广泛用于高性能电源模块、可再生能源发电单元、服务器电源系统及对功率密度和热管理要求较高的电力电子设备中。
