AIDK08S65C5-HXY_TO-263N_碳化硅二极管_HXY MOSFET(华轩阳电子)

  • 产品参数
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品牌: HXY MOSFET(华轩阳电子)
封装: TO-263N
类别: 碳化硅二极管
最小包装: 800/圆盘
参数1: IF:8A
参数2: VR:650V
参数3: VF:1.42V
参数4: 二极管配置:独立式
标价: 欢迎咨询
服 务 商: 深圳市华轩阳电子有限公司
会员等级: 会员
联 系 人: 张婉仪
联系电话: 189 2937 3249
联系地址: 深圳市福田区中航路7-1号鼎诚国际大厦南座2013
产品介绍

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该碳化硅二极管采用独立式配置,具备8A的正向电流(IF)和650V的反向重复峰值电压(VR),正向压降(VF)低至1.42V,表现出优异的导通性能与能效。基于碳化硅材料的特性,该器件具有快速开关能力与较低的反向恢复电荷,适用于高频率、高效率的电力转换场景。其材料特性支持在较高结温下稳定运行,适合用于紧凑型电源设计、高效能适配器、可再生能源逆变系统及高性能直流电源模块中,有助于减小系统体积并提升整体效率。

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