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本产品为1200V碳化硅N沟道场效应晶体管（MOSFET），具备优异的电气性能和稳定性。在25℃环境下，连续漏极电流为63A，导通电阻低至32毫欧，有助于降低导通损耗，提升整体系统效率。碳化硅材料的采用提升了器件的耐高温能力与开关速度，适用于高频电源转换、高效整流、智能电网接口设备及高性能电力电子系统等应用场景。