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本产品为1200V碳化硅N沟道场效应晶体管（MOSFET），具备165A的连续漏极电流承载能力，导通电阻低至13毫欧，表现出优异的电流传输能力和低导通损耗。碳化硅材料的特性使其在高频率、高效率的电力转换系统中具有出色性能，同时具备良好的耐高温特性和热稳定性。适用于高性能电源变换装置、可再生能源系统、储能设备及其他对功率密度与系统效率有较高要求的电子电路应用场景。