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本产品为N沟道碳化硅场效应管（MOSFET），具有1200V的漏源击穿电压（VDSS）和81A的额定漏极电流（ID），导通电阻（RDON）仅为21mΩ，确保在高功率密度应用中实现高效、低损耗的开关性能。碳化硅材料的采用提升了器件的耐高温和高频特性，适用于如高效电源转换器、可再生能源系统及智能电力调控设备等场景，支持系统实现更高效率与更优热管理表现。
