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本产品为1200V高压碳化硅N沟道场效应晶体管（MOSFET），具备优异的导通与开关性能。在25℃条件下，导通电阻（RDON）低至16mΩ，支持高达120A的连续漏极电流（ID），适用于高效率、高频电力电子系统。器件基于碳化硅材料，具备更高的热稳定性和更低的开关损耗，可广泛用于新能源、智能电网、精密电源及高密度功率转换装置中，满足复杂工况下的性能需求。
