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本产品为N沟道碳化硅场效应管（MOSFET），具有优异的高频开关性能与低导通电阻特性。其漏极电流ID可达32A，漏源电压VDSS为1200V，导通电阻RDON低至75mΩ，适用于高效率、高频率的电力转换场景。碳化硅材料的使用使其具备更高的热稳定性和更小的能量损耗，适合用于电源适配器、光伏逆变器及高密度电源系统等对性能与能效有较高要求的场合。