-------<点击了解更多 + 购买>-------
本产品为1200V N沟道碳化硅场效应管（MOSFET），具备良好的导通特性和高效的开关表现。其最大漏极电流（ID）为32A，导通电阻（RDON）为75mΩ，有助于减少导通损耗并提高系统能效。碳化硅材料赋予器件优异的高温稳定性和耐压能力，适合在高压、高频及高功率密度环境下运行。广泛应用于高效能电源转换装置、新能源设备及精密电子系统中的功率控制与能量调节环节。
