S3D30065G_TO-263N_碳化硅二极管_HXY MOSFET(华轩阳电子)

  • 产品参数
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品牌: HXY MOSFET(华轩阳电子)
封装: TO-263N
类别: 碳化硅二极管
最小包装: 800/圆盘
参数1: IF:30A
参数2: VR:650V
参数3: VF:1.41V
参数4: 二极管配置:独立式
标价: 欢迎咨询
服 务 商: 深圳市华轩阳电子有限公司
会员等级: 会员
联 系 人: 张婉仪
联系电话: 189 2937 3249
联系地址: 深圳市福田区中航路7-1号鼎诚国际大厦南座2013
产品介绍

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该碳化硅二极管为独立式配置,具备30A的正向电流(IF)和650V的反向重复峰值电压(VR),适用于中高功率电力转换场合。其正向导通压降(VF)为1.41V,在同类器件中表现优异,有助于减少导通损耗,提升能效。采用碳化硅材料,具备出色的开关特性与高温工作能力,反向恢复时间短,可支持高频应用。器件适用于大功率电源系统、储能设备中的能量转换模块以及高性能逆变装置,其结构设计有利于热管理与系统集成,适合对效率和可靠性有较高要求的电力电子设备。

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