-------<点击了解更多 + 购买>-------

本产品为1200V碳化硅N沟道场效应晶体管（MOSFET），具备75mΩ的低导通电阻和32A的连续漏极电流能力。基于碳化硅材料的优异特性，该器件具有高效的开关性能和良好的热稳定性，适用于高频率、高效率的功率转换系统。可广泛用于能源管理、通信电源、智能电网等领域的DC-DC转换、逆变器及功率因数校正电路中，满足高压高频环境下的稳定运行需求。