-------<点击了解更多 + 购买>-------

该N沟道碳化硅场效应管具有650V的漏源电压（VDSS）和24A的连续漏极电流（ID），导通电阻低至110mΩ，适用于高效率、高频率的电源转换场景。栅源电压范围为-4V至!8V，具备良好的栅极可靠性与开关稳定性。基于碳化硅材料特性，器件可在较高温度下工作，同时保持优异的反向恢复性能，常用于高性能开关电源、光伏逆变系统及高密度功率模块中，有助于减小无源元件体积并提升整体能效水平。